PB6W8BX - описание и поиск аналогов

 

PB6W8BX - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PB6W8BX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: PDFN2X2S
 

 Аналог (замена) для PB6W8BX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB6W8BX технические параметры

 ..1. Size:371K  niko-sem
 pb6w8bx.pdf pdf_icon

PB6W8BX

N-Channel Enhancement Mode PB6W8BX NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 2x2S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 40V 18m 8A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. GATE D.

Другие MOSFET... PB5A3JW , PB5B5BX , PB5C5JW , PB5G8JW , PB600BX , PB606BX , PB6C4JU , PB6D2BX , IRFB3607 , PC015BDA , PC015HVA , PC561BA , PD515BA , PD551BA , PD5B3BA , PD5B9BA , PD5C1BA .

History: PB5C5JW

 

 
Back to Top

 


 
.