PB6W8BX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PB6W8BX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: PDFN2X2S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PB6W8BX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PB6W8BX даташит

 ..1. Size:371K  niko-sem
 pb6w8bx.pdf pdf_icon

PB6W8BX

N-Channel Enhancement Mode PB6W8BX NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 2x2S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 40V 18m 8A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G. GATE D.

Другие IGBT... PB5A3JW, PB5B5BX, PB5C5JW, PB5G8JW, PB600BX, PB606BX, PB6C4JU, PB6D2BX, AON7506, PC015BDA, PC015HVA, PC561BA, PD515BA, PD551BA, PD5B3BA, PD5B9BA, PD5C1BA