PC015HVA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PC015HVA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PC015HVA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PC015HVA даташит

 ..1. Size:271K  niko-sem
 pc015hva.pdf pdf_icon

PC015HVA

Dual N-Channel Enhancement Mode PC015HVA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 300m 150V 1.4A G GATE D DRAIN S SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA =

 7.1. Size:461K  unikc
 pc015hv.pdf pdf_icon

PC015HVA

PC015HV Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 300m @VGS = 10V 150V 1.6A SOP-8 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 150 V VGS Gate-Source Voltage 20 TA = 25 C 1.6 ID Continuous Drain Current TA= 70 C 1.3 A IDM 16 Pulsed Drain C

 9.1. Size:523K  unikc
 pc015bd.pdf pdf_icon

PC015HVA

PC015BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 300m @VGS = 10V 150V 6A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 6 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 4 A IDM 15 Pulsed Drain Current1,2 IAS Avalanche Current 5.5

 9.2. Size:250K  niko-sem
 pc015bda.pdf pdf_icon

PC015HVA

N-Channel Enhancement Mode PC015BDA NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 150V 300m 6.4A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 6.4 Continuous Drain C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PB5C5JW, PB5G8JW, PB600BX, PB606BX, PB6C4JU, PB6D2BX, PB6W8BX, PC015BDA, 12N60, PC561BA, PD515BA, PD551BA, PD5B3BA, PD5B9BA, PD5C1BA, PD5C9BA, PD5E8BA