PD606BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PD606BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для PD606BA
PD606BA Datasheet (PDF)
pd606ba.pdf

PD606BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G30V 18m 24A 2. DRAIN 3. SOURCE S100% RG Test , 100% UIL Test ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Sourc
Другие MOSFET... PD5B9BA , PD5C1BA , PD5C9BA , PD5E8BA , PD5G3EA , PD5P8BA , PD600BA , PD601CX , STP80NF70 , PD608BA , PD609CX , PD616BA , PD618BA , PD676BA , PD6A4BA , PD6A6BA , PD6B2BA .
History: NTDV3055L104 | LSDN65R380GT | IRFP440R | CS12N65FA9R | QS8M51 | MME70R380PRH | 25N10L-TF3-T
History: NTDV3055L104 | LSDN65R380GT | IRFP440R | CS12N65FA9R | QS8M51 | MME70R380PRH | 25N10L-TF3-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560