PD606BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PD606BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PD606BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD606BA даташит

 ..1. Size:281K  niko-sem
 pd606ba.pdf pdf_icon

PD606BA

PD606BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 30V 18m 24A 2. DRAIN 3. SOURCE S 100% RG Test , 100% UIL Test ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Sourc

Другие IGBT... PD5B9BA, PD5C1BA, PD5C9BA, PD5E8BA, PD5G3EA, PD5P8BA, PD600BA, PD601CX, IRF2807, PD608BA, PD609CX, PD616BA, PD618BA, PD676BA, PD6A4BA, PD6A6BA, PD6B2BA