PD616BA datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PD616BA 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO-252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для PD616BA
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PD616BA даташит
Другие IGBT... PD5E8BA, PD5G3EA, PD5P8BA, PD600BA, PD601CX, PD606BA, PD608BA, PD609CX, STF13NM60N, PD618BA, PD676BA, PD6A4BA, PD6A6BA, PD6B2BA, PD6D2BA, PE527BA, PE532DX
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: JMTG3005A | JMTQ100P03A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678

