PD616BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PD616BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для PD616BA
PD616BA Datasheet (PDF)
pd616ba.pdf

PD616BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G30V 7m 55A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25
Другие MOSFET... PD5E8BA , PD5G3EA , PD5P8BA , PD600BA , PD601CX , PD606BA , PD608BA , PD609CX , 2N60 , PD618BA , PD676BA , PD6A4BA , PD6A6BA , PD6B2BA , PD6D2BA , PE527BA , PE532DX .
History: PD6A4BA | PD5E8BA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF | AP20H02S | AP20G06GD | AP20G04NF | AP20G04GD | AP20G03NF | AP70P03DF
Popular searches
2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678