Справочник MOSFET. PD616BA

 

PD616BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD616BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PD616BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD616BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  niko-sem
 pd616ba.pdf pdf_icon

PD616BA

PD616BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G30V 7m 55A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

Другие MOSFET... PD5E8BA , PD5G3EA , PD5P8BA , PD600BA , PD601CX , PD606BA , PD608BA , PD609CX , IRFZ46N , PD618BA , PD676BA , PD6A4BA , PD6A6BA , PD6B2BA , PD6D2BA , PE527BA , PE532DX .

History: 2SJ176 | BSC014N04LSI | EFC4626R | CHM3413KGP | S85N042RP | DK64N90F

 

 
Back to Top

 


 
.