Справочник MOSFET. PD6A4BA

 

PD6A4BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD6A4BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PD6A4BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD6A4BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  niko-sem
 pd6a4ba.pdf pdf_icon

PD6A4BA

N-Channel Enhancement Mode PD6A4BANIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G40V 12m 35A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 40 VGate-Source Voltage VGS 20 VTC = 25 C 35

Другие MOSFET... PD600BA , PD601CX , PD606BA , PD608BA , PD609CX , PD616BA , PD618BA , PD676BA , 2N60 , PD6A6BA , PD6B2BA , PD6D2BA , PE527BA , PE532DX , PE533BA , PE551BA , PE561BA .

History: AOW10N60 | MTNK5N3 | NTMFS5113PL | FDZ7296 | 6N60KL-TA3-T | FXN0703D | SSM4410M

 

 
Back to Top

 


 
.