PD6A4BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PD6A4BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 106 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для PD6A4BA
PD6A4BA Datasheet (PDF)
pd6a4ba.pdf

N-Channel Enhancement Mode PD6A4BANIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G40V 12m 35A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 40 VGate-Source Voltage VGS 20 VTC = 25 C 35
Другие MOSFET... PD600BA , PD601CX , PD606BA , PD608BA , PD609CX , PD616BA , PD618BA , PD676BA , 2N60 , PD6A6BA , PD6B2BA , PD6D2BA , PE527BA , PE532DX , PE533BA , PE551BA , PE561BA .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet