Справочник MOSFET. PD6B2BA

 

PD6B2BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD6B2BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PD6B2BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD6B2BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  niko-sem
 pd6b2ba.pdf pdf_icon

PD6B2BA

N-Channel Enhancement Mode PD6B2BANIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 6.2m 63A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. 1. GATE Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 2. DRA

Другие MOSFET... PD606BA , PD608BA , PD609CX , PD616BA , PD618BA , PD676BA , PD6A4BA , PD6A6BA , IRFB31N20D , PD6D2BA , PE527BA , PE532DX , PE533BA , PE551BA , PE561BA , PE597BA , PE5B1DZ .

History: NTMFS5C456NL | FHD4N65E | P7006BL

 

 
Back to Top

 


 
.