Справочник MOSFET. PD6B2BA

 

PD6B2BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PD6B2BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PD6B2BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  niko-sem
 pd6b2ba.pdf pdf_icon

PD6B2BA

N-Channel Enhancement Mode PD6B2BANIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 6.2m 63A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. 1. GATE Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 2. DRA

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TPC8228H | G2009K | 2SK105 | CHT2324GP | IRFH7084 | RU1H60R | SFF130-28

 

 
Back to Top

 


 
.