PD6B2BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PD6B2BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PD6B2BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PD6B2BA даташит

 ..1. Size:218K  niko-sem
 pd6b2ba.pdf pdf_icon

PD6B2BA

N-Channel Enhancement Mode PD6B2BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 6.2m 63A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. 1. GATE Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 2. DRA

Другие IGBT... PD606BA, PD608BA, PD609CX, PD616BA, PD618BA, PD676BA, PD6A4BA, PD6A6BA, K4145, PD6D2BA, PE527BA, PE532DX, PE533BA, PE551BA, PE561BA, PE597BA, PE5B1DZ