Справочник MOSFET. FQP65N06

 

FQP65N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQP65N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для FQP65N06

 

 

FQP65N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  fairchild semi
 fqp65n06.pdf

FQP65N06 FQP65N06

May 2001TMQFETFQP65N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 ..2. Size:801K  onsemi
 fqp65n06.pdf

FQP65N06 FQP65N06

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... IRFU220B , FQP4N90C , FQP4P40 , FQP50N06L , FQP55N10 , FQP6N60C , FQP5N60C , FQPF5N50C , AO4468 , FQP6N40C , FQU2N90 , FQP6N40CF , FQU2N50B , FQP6N80C , FQD4P25TMWS , FQP6N90C , FQP70N10 .

 

 
Back to Top