PE5M6EA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PE5M6EA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 89 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PE5M6EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5M6EA даташит

 ..1. Size:244K  niko-sem
 pe5m6ea.pdf pdf_icon

PE5M6EA

N-Channel Enhancement Mode PE5M6EA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 24V 5m 51A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Integra

Другие IGBT... PE597BA, PE5B1DZ, PE5B5DX, PE5B7BA, PE5C6JZ, PE5E6BA, PE5F7EA, PE5G5EA, IRFB31N20D, PE5Q8JZ, PE5V6BA, PE609CA, PE674DT, PE6A4BA, PE6A6BA, PE6D2DX, PE6R8DX