PE5M6EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PE5M6EA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 51 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 89 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 294 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3P
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PE5M6EA Datasheet (PDF)
pe5m6ea.pdf

N-Channel Enhancement Mode PE5M6EA NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID3 24V 5m 51A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Integra
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: SI7972DP | APQ50SN06AD | SPD50N06S2-14 | SFI9634 | LSG80R680GT | STL7N6LF3 | SVS7N65MJD2
History: SI7972DP | APQ50SN06AD | SPD50N06S2-14 | SFI9634 | LSG80R680GT | STL7N6LF3 | SVS7N65MJD2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a