PE6A4BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PE6A4BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PE6A4BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 111 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE6A4BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE6A4BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  niko-sem
 pe6a4ba.pdf pdf_icon

PE6A4BA

PE6A4BAN-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D40V 12m 32A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D DG. GA

Другие MOSFET... PE5E6BA , PE5F7EA , PE5G5EA , PE5M6EA , PE5Q8JZ , PE5V6BA , PE609CA , PE674DT , EMB04N03H , PE6A6BA , PE6D2DX , PE6R8DX , PE6W2EA , PE6W8DX , PE848DU , PE854DT , PE898BA .

History: IRF610LPBF | FS70UMJ-2 | FS70SM-2 | FQP630TSTU | PE6R8DX | FQP6N15 | IRF6100PBF

 

 
Back to Top

 


 
.