PE6A4BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE6A4BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 111 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

Аналог (замена) для PE6A4BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE6A4BA даташит

 ..1. Size:227K  niko-sem
 pe6a4ba.pdf pdf_icon

PE6A4BA

PE6A4BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 40V 12m 32A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D D G. GA

Другие IGBT... PE5E6BA, PE5F7EA, PE5G5EA, PE5M6EA, PE5Q8JZ, PE5V6BA, PE609CA, PE674DT, EMB04N03H, PE6A6BA, PE6D2DX, PE6R8DX, PE6W2EA, PE6W8DX, PE848DU, PE854DT, PE898BA