PE6D2DX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PE6D2DX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3P
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PE6D2DX Datasheet (PDF)
pe6d2dx.pdf

Dual N-Channel Enhancement Mode PE6D2DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 25m 18A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D1 D1 D2 D2App
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: AONU32320 | YTF840 | BSS138A | AP4N4R2H | STF20NM60D | 2SJ542
History: AONU32320 | YTF840 | BSS138A | AP4N4R2H | STF20NM60D | 2SJ542



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398