PE6D2DX datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PE6D2DX  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PE6D2DX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE6D2DX даташит

 ..1. Size:404K  niko-sem
 pe6d2dx.pdf pdf_icon

PE6D2DX

Dual N-Channel Enhancement Mode PE6D2DX NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 25m 18A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D1 D1 D2 D2 App

Другие IGBT... PE5G5EA, PE5M6EA, PE5Q8JZ, PE5V6BA, PE609CA, PE674DT, PE6A4BA, PE6A6BA, IRFB3206, PE6R8DX, PE6W2EA, PE6W8DX, PE848DU, PE854DT, PE898BA, PE8A8BA, PE8B0BA