Справочник MOSFET. PE8A8BA

 

PE8A8BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE8A8BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1096 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE8A8BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE8A8BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  niko-sem
 pe8a8ba.pdf pdf_icon

PE8A8BA

PE8A8BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 3.7m 75A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D DG.

Другие MOSFET... PE6A6BA , PE6D2DX , PE6R8DX , PE6W2EA , PE6W8DX , PE848DU , PE854DT , PE898BA , IRFZ44N , PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA , PECH1EU , PECJ1EU , PEE28BB , PEE50BB , PF515BM .

History: ME4454 | 8N80L-TF2-T | IPP60R099CPA | ZXMP6A17GTA | F60W60CP | HUFA76645S3ST | BLP032N06-Q

 

 
Back to Top

 


 
.