Справочник MOSFET. PE8B0BA

 

PE8B0BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE8B0BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 304 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE8B0BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE8B0BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  niko-sem
 pe8b0ba.pdf pdf_icon

PE8B0BA

PE8B0BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 8m 39A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D D

Другие MOSFET... PE6D2DX , PE6R8DX , PE6W2EA , PE6W8DX , PE848DU , PE854DT , PE898BA , PE8A8BA , IRF3205 , PE8C2BA , PE8D8BA , PECH1EU , PECJ1EU , PEE28BB , PEE50BB , PF515BM , PF5B3BA .

History: STP3NK100Z | RT3J33M | CS12N65FA9R | QS8M51 | 25N10L-TF3-T | IRFP440R | MME70R380PRH

 

 
Back to Top

 


 
.