PE8D8BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PE8D8BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PE8D8BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 263 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE8D8BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE8D8BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  niko-sem
 pe8d8ba.pdf pdf_icon

PE8D8BA

PE8D8BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 4.8m 52A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D D

Другие MOSFET... PE6W2EA , PE6W8DX , PE848DU , PE854DT , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA , IRF840 , PECH1EU , PECJ1EU , PEE28BB , PEE50BB , PF515BM , PF5B3BA , PF5G3EA , PF608BA .

History: OSG90R1K2FF | PG2910BD | PG1010BK | BLS65R380-U | PECJ1EU | AP4N2R6J | AOSD21313C

 

 
Back to Top

 


 
.