PECH1EU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PECH1EU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 511 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm
Тип корпуса: PDFN3.3X3.3S
Аналог (замена) для PECH1EU
PECH1EU Datasheet (PDF)
pech1eu.pdf
P-Channel Logic Level Enhancement Mode PECH1EU NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3.3x3.3S Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 6.1m -50A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.
Другие MOSFET... PE6W8DX , PE848DU , PE854DT , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA , 20N60 , PECJ1EU , PEE28BB , PEE50BB , PF515BM , PF5B3BA , PF5G3EA , PF608BA , PG1010BD .
History: PEE28BB | FSS273 | PG2910BD | NCE0130KA | UT4406
History: PEE28BB | FSS273 | PG2910BD | NCE0130KA | UT4406
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883


