Справочник MOSFET. PECH1EU

 

PECH1EU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PECH1EU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 511 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3.3X3.3S
 

 Аналог (замена) для PECH1EU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PECH1EU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:405K  niko-sem
 pech1eu.pdf pdf_icon

PECH1EU

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PECH1EU NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3.3x3.3S Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 6.1m -50A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие MOSFET... PE6W8DX , PE848DU , PE854DT , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA , 20N60 , PECJ1EU , PEE28BB , PEE50BB , PF515BM , PF5B3BA , PF5G3EA , PF608BA , PG1010BD .

History: FDU8778 | UPA1764G | OSG70R420DEF | STD5NK50ZT4 | HGM098N10AL | AOWF160A60 | 6N60KG-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.