PECH1EU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PECH1EU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 511 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0061 Ohm
Тип корпуса: PDFN3.3X3.3S
Аналог (замена) для PECH1EU
PECH1EU Datasheet (PDF)
pech1eu.pdf

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PECH1EU NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3.3x3.3S Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 6.1m -50A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.
Другие MOSFET... PE6W8DX , PE848DU , PE854DT , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA , IRF840 , PECJ1EU , PEE28BB , PEE50BB , PF515BM , PF5B3BA , PF5G3EA , PF608BA , PG1010BD .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883