PEE28BB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PEE28BB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 124 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1117 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
Тип корпуса: PDFN3X3P
Аналог (замена) для PEE28BB
PEE28BB Datasheet (PDF)
pee28bb.pdf
PEE28BB N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 1.8m 124A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D D
Другие MOSFET... PE854DT , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA , PECH1EU , PECJ1EU , IRF540 , PEE50BB , PF515BM , PF5B3BA , PF5G3EA , PF608BA , PG1010BD , PG1010BK , PG2910BD .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810


