Справочник MOSFET. PF515BM

 

PF515BM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PF515BM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для PF515BM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PF515BM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  niko-sem
 pf515bm.pdf pdf_icon

PF515BM

N-Channel Enhancement Mode PF515BM NIKO-SEM SOT-23 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G: GATE G150V 650m 0.8A D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25 C 0.8 Continuous Drain Curre

Другие MOSFET... PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA , PECH1EU , PECJ1EU , PEE28BB , PEE50BB , IRF640 , PF5B3BA , PF5G3EA , PF608BA , PG1010BD , PG1010BK , PG2910BD , PG2910BEA , PG2910BK .

History: CS50N06P | 7N65KL-T2Q-T | SL3139T | SSM3K335R | NCV8408 | NX7002AKS | APT47N60BCFG

 

 
Back to Top

 


 
.