PF515BM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PF515BM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PF515BM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PF515BM даташит

 ..1. Size:253K  niko-sem
 pf515bm.pdf pdf_icon

PF515BM

N-Channel Enhancement Mode PF515BM NIKO-SEM SOT-23 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G GATE G 150V 650m 0.8A D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25 C 0.8 Continuous Drain Curre

Другие IGBT... PE8A8BA, PE8B0BA, PE8C2BA, PE8D8BA, PECH1EU, PECJ1EU, PEE28BB, PEE50BB, IRFP460, PF5B3BA, PF5G3EA, PF608BA, PG1010BD, PG1010BK, PG2910BD, PG2910BEA, PG2910BK