PF515BM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PF515BM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для PF515BM
PF515BM Datasheet (PDF)
pf515bm.pdf

N-Channel Enhancement Mode PF515BM NIKO-SEM SOT-23 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G: GATE G150V 650m 0.8A D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25 C 0.8 Continuous Drain Curre
Другие MOSFET... PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA , PECH1EU , PECJ1EU , PEE28BB , PEE50BB , IRFP460 , PF5B3BA , PF5G3EA , PF608BA , PG1010BD , PG1010BK , PG2910BD , PG2910BEA , PG2910BK .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet