Справочник MOSFET. PF5G3EA

 

PF5G3EA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PF5G3EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 812 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PF5G3EA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PF5G3EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  niko-sem
 pf5g3ea.pdf pdf_icon

PF5G3EA

P-Channel Enhancement PF5G3EA NIKO-SEM TO-220F Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 8m -56A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Integrat

Другие MOSFET... PE8C2BA , PE8D8BA , PECH1EU , PECJ1EU , PEE28BB , PEE50BB , PF515BM , PF5B3BA , IRFP460 , PF608BA , PG1010BD , PG1010BK , PG2910BD , PG2910BEA , PG2910BK , PG3510HEA , PG8E10AF .

 

 
Back to Top

 


 
.