PF5G3EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PF5G3EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 812 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для PF5G3EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PF5G3EA даташит

 ..1. Size:269K  niko-sem
 pf5g3ea.pdf pdf_icon

PF5G3EA

P-Channel Enhancement PF5G3EA NIKO-SEM TO-220F Mode Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 8m -56A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Integrat

Другие IGBT... PE8C2BA, PE8D8BA, PECH1EU, PECJ1EU, PEE28BB, PEE50BB, PF515BM, PF5B3BA, IRF640, PF608BA, PG1010BD, PG1010BK, PG2910BD, PG2910BEA, PG2910BK, PG3510HEA, PG8E10AF