PF608BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PF608BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для PF608BA
PF608BA Datasheet (PDF)
pf608ba.pdf
N-Channel Enhancement Mode PF608BANIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220F Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 6m 58A DGFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications
Другие MOSFET... PE8D8BA , PECH1EU , PECJ1EU , PEE28BB , PEE50BB , PF515BM , PF5B3BA , PF5G3EA , IRF1404 , PG1010BD , PG1010BK , PG2910BD , PG2910BEA , PG2910BK , PG3510HEA , PG8E10AF , PG8E10AK .
History: APT1002R4AN | IPP04CN10N | IXTA6N100D2 | IRFP443R | FXN0405C | FQB5P20TM | IPP042N03L
History: APT1002R4AN | IPP04CN10N | IXTA6N100D2 | IRFP443R | FXN0405C | FQB5P20TM | IPP042N03L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor


