Справочник MOSFET. PG1010BD

 

PG1010BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PG1010BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PG1010BD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PG1010BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  niko-sem
 pg1010bd.pdf pdf_icon

PG1010BD

N-Channel Enhancement Mode PG1010BD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G100V 10.5m 64A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 7.1. Size:299K  niko-sem
 pg1010bk.pdf pdf_icon

PG1010BD

N-Channel Enhancement Mode PG1010BK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 10m 58A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Vol

Другие MOSFET... PECH1EU , PECJ1EU , PEE28BB , PEE50BB , PF515BM , PF5B3BA , PF5G3EA , PF608BA , IRFP260N , PG1010BK , PG2910BD , PG2910BEA , PG2910BK , PG3510HEA , PG8E10AF , PG8E10AK , PI504BZ .

History: PMV65XPEA | MCQ4822

 

 
Back to Top

 


 
.