PG1010BD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PG1010BD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для PG1010BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PG1010BD даташит

 ..1. Size:238K  niko-sem
 pg1010bd.pdf pdf_icon

PG1010BD

N-Channel Enhancement Mode PG1010BD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 100V 10.5m 64A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 7.1. Size:299K  niko-sem
 pg1010bk.pdf pdf_icon

PG1010BD

N-Channel Enhancement Mode PG1010BK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 100V 10m 58A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Vol

Другие IGBT... PECH1EU, PECJ1EU, PEE28BB, PEE50BB, PF515BM, PF5B3BA, PF5G3EA, PF608BA, IRLZ44N, PG1010BK, PG2910BD, PG2910BEA, PG2910BK, PG3510HEA, PG8E10AF, PG8E10AK, PI504BZ