Справочник MOSFET. PI517BZ

 

PI517BZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PI517BZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 376 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для PI517BZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PI517BZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  niko-sem
 pi517bz.pdf pdf_icon

PI517BZ

P-Channel Enhancement Mode PI517BZ NIKO-SEM TO-251(IS) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 12m -55A 1. GATE G2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC

Другие MOSFET... PG1010BK , PG2910BD , PG2910BEA , PG2910BK , PG3510HEA , PG8E10AF , PG8E10AK , PI504BZ , IRFP250N , PI5B3BA , PJ527BA , PJ601CA , PJ611CA , PJ616CA-T , PK555BA , PK5A7BA , PK5B3BA .

History: AP4543GEM-HF | HTS200N03 | 25N10L-TF3-T | MME70R380PRH | IRFP440R | QS8M51 | CS12N65FA9R

 

 
Back to Top

 


 
.