PI517BZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PI517BZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 376 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для PI517BZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PI517BZ даташит

 ..1. Size:222K  niko-sem
 pi517bz.pdf pdf_icon

PI517BZ

P-Channel Enhancement Mode PI517BZ NIKO-SEM TO-251(IS) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 12m -55A 1. GATE G 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC

Другие IGBT... PG1010BK, PG2910BD, PG2910BEA, PG2910BK, PG3510HEA, PG8E10AF, PG8E10AK, PI504BZ, IRFB4115, PI5B3BA, PJ527BA, PJ601CA, PJ611CA, PJ616CA-T, PK555BA, PK5A7BA, PK5B3BA