PI5B3BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PI5B3BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 507 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для PI5B3BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PI5B3BA даташит

 ..1. Size:218K  niko-sem
 pi5b3ba.pdf pdf_icon

PI5B3BA

P-Channel Enhancement Mode PI5B3BA NIKO-SEM TO-251 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 8m -74A D G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 1. GATE 2. DR

Другие IGBT... PG2910BD, PG2910BEA, PG2910BK, PG3510HEA, PG8E10AF, PG8E10AK, PI504BZ, PI517BZ, 2N7000, PJ527BA, PJ601CA, PJ611CA, PJ616CA-T, PK555BA, PK5A7BA, PK5B3BA, PK5B9BA