Справочник MOSFET. PI5B3BA

 

PI5B3BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PI5B3BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 507 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для PI5B3BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PI5B3BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  niko-sem
 pi5b3ba.pdf pdf_icon

PI5B3BA

P-Channel Enhancement Mode PI5B3BANIKO-SEM TO-251Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 8m -74A DGFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 1. GATE 2. DR

Другие MOSFET... PG2910BD , PG2910BEA , PG2910BK , PG3510HEA , PG8E10AF , PG8E10AK , PI504BZ , PI517BZ , IRF9540 , PJ527BA , PJ601CA , PJ611CA , PJ616CA-T , PK555BA , PK5A7BA , PK5B3BA , PK5B9BA .

History: PD606BA | NTDV3055L104 | QS8M51 | 25N10L-TF3-T | MME70R380PRH | CS12N65FA9R | IRFP440R

 

 
Back to Top

 


 
.