PJ527BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJ527BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: J-LEAD
PJ527BA Datasheet (PDF)
pj527ba.pdf
PJ527BA P-Channel Enhancement Mode Field NIKO-SEM J-Lead Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 14m -8A D G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications
Другие MOSFET... PG2910BEA , PG2910BK , PG3510HEA , PG8E10AF , PG8E10AK , PI504BZ , PI517BZ , PI5B3BA , P55NF06 , PJ601CA , PJ611CA , PJ616CA-T , PK555BA , PK5A7BA , PK5B3BA , PK5B9BA , PK5C1BA .
History: AP10N4R5P | PTY12HN06 | VBA2625 | F640 | RJK0390DPA | AP4406A | F50N06
History: AP10N4R5P | PTY12HN06 | VBA2625 | F640 | RJK0390DPA | AP4406A | F50N06
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583


