PJ527BA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PJ527BA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: J-LEAD

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PJ527BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJ527BA даташит

 ..1. Size:266K  niko-sem
 pj527ba.pdf pdf_icon

PJ527BA

PJ527BA P-Channel Enhancement Mode Field NIKO-SEM J-Lead Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 14m -8A D G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications

Другие IGBT... PG2910BEA, PG2910BK, PG3510HEA, PG8E10AF, PG8E10AK, PI504BZ, PI517BZ, PI5B3BA, AO3400, PJ601CA, PJ611CA, PJ616CA-T, PK555BA, PK5A7BA, PK5B3BA, PK5B9BA, PK5C1BA