PJ616CA-T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PJ616CA-T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
Тип корпуса: J-LEAD
Аналог (замена) для PJ616CA-T
PJ616CA-T Datasheet (PDF)
pj616ca-t.pdf

PJ616CA-T N- & P-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM J-Lead Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID N-Channel 30V 12.5m 8.9A P-Channel -30V 27.5m -6.1A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to M
Другие MOSFET... PG8E10AF , PG8E10AK , PI504BZ , PI517BZ , PI5B3BA , PJ527BA , PJ601CA , PJ611CA , STP75NF75 , PK555BA , PK5A7BA , PK5B3BA , PK5B9BA , PK5C1BA , PK5E4BA , PK5G3EA , PK5H3EN .
History: AM7435P | AM7933P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor