Справочник MOSFET. PJ616CA-T

 

PJ616CA-T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PJ616CA-T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: J-LEAD
 

 Аналог (замена) для PJ616CA-T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJ616CA-T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:455K  niko-sem
 pj616ca-t.pdf pdf_icon

PJ616CA-T

PJ616CA-T N- & P-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM J-Lead Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID N-Channel 30V 12.5m 8.9A P-Channel -30V 27.5m -6.1A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to M

Другие MOSFET... PG8E10AF , PG8E10AK , PI504BZ , PI517BZ , PI5B3BA , PJ527BA , PJ601CA , PJ611CA , AON7408 , PK555BA , PK5A7BA , PK5B3BA , PK5B9BA , PK5C1BA , PK5E4BA , PK5G3EA , PK5H3EN .

History: HMS7N65I | IXTA8N50P | SI4682DY | RZL025P01TR | LSB60R030HT | SM4435 | FQB19N10LTM

 

 
Back to Top

 


 
.