PJ616CA-T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PJ616CA-T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: J-LEAD

Аналог (замена) для PJ616CA-T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PJ616CA-T даташит

 ..1. Size:455K  niko-sem
 pj616ca-t.pdf pdf_icon

PJ616CA-T

PJ616CA-T N- & P-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM J-Lead Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID N-Channel 30V 12.5m 8.9A P-Channel -30V 27.5m -6.1A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to M

Другие IGBT... PG8E10AF, PG8E10AK, PI504BZ, PI517BZ, PI5B3BA, PJ527BA, PJ601CA, PJ611CA, IRFP250N, PK555BA, PK5A7BA, PK5B3BA, PK5B9BA, PK5C1BA, PK5E4BA, PK5G3EA, PK5H3EN