PK5E4BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PK5E4BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PK5E4BA
PK5E4BA Datasheet (PDF)
pk5e4ba.pdf
PK5E4BAN-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G30V 9.5m 40A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage V
Другие MOSFET... PJ601CA , PJ611CA , PJ616CA-T , PK555BA , PK5A7BA , PK5B3BA , PK5B9BA , PK5C1BA , 2N7002 , PK5G3EA , PK5H3EN , PK5L4BA , PK5M6EA , PK5V6BA , PK5V8EN , PK5X8BA , PK601CA .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794


