PK5E4BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PK5E4BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

Аналог (замена) для PK5E4BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK5E4BA даташит

 ..1. Size:244K  niko-sem
 pk5e4ba.pdf pdf_icon

PK5E4BA

PK5E4BA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 30V 9.5m 40A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage V

Другие IGBT... PJ601CA, PJ611CA, PJ616CA-T, PK555BA, PK5A7BA, PK5B3BA, PK5B9BA, PK5C1BA, 2N7002, PK5G3EA, PK5H3EN, PK5L4BA, PK5M6EA, PK5V6BA, PK5V8EN, PK5X8BA, PK601CA