FQD4P25TM_WS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQD4P25TM_WS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.1 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для FQD4P25TM_WS
FQD4P25TM_WS Datasheet (PDF)
1.1. fqd4p25tm ws.pdf 
Size:980K _fairchild_semi
November 2013 FQD4P25TM_WS P-Channel QFET® MOSFET -250 V, -3.1 A, 2.1 Ω Description Features This P-Channel enhancement mode power MOSFET is -3.1 A, -250 V, RDS(on) = 2.1 Ω (Max.) @ VGS = 10 V, • produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar ID = -1.55 A stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET • Low Gate Charge (Typ. 10 nC) technology has been especi
3.1. fqd4p25 fqu4p25.pdf Size:585K _fairchild_semi
December 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD4P25 / FQU4P25 250V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -3.1A, -250V, RDS(on) = 2.1? @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 10.3 pF) This advanced technology is espe
Другие MOSFET... FQP5N60C , FQPF5N50C , FQP65N06 , FQP6N40C , FQU2N90 , FQP6N40CF , FQU2N50B , FQP6N80C , 2SK3562 , FQP6N90C , FQP70N10 , FCP20N60 , FQP7N80C , FCA20N60 , FQP7P06 , FQP85N06 , FQP8N80C .
