Справочник MOSFET. PK6B0SA

 

PK6B0SA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PK6B0SA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PK6B0SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  niko-sem
 pk6b0sa.pdf pdf_icon

PK6B0SA

N-Channel Enhancement Mode PK6B0SANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D D D D30V 5m 56A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 20 V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: UT60T03 | 4N65KL-T2Q-R | TK3A60DA | SQ2361ES | PK5V8EN | TMD7N65H

 

 
Back to Top

 


 
.