PK6B0SA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PK6B0SA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

Аналог (замена) для PK6B0SA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK6B0SA даташит

 ..1. Size:253K  niko-sem
 pk6b0sa.pdf pdf_icon

PK6B0SA

N-Channel Enhancement Mode PK6B0SA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D D D D 30V 5m 56A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V

Другие IGBT... PK5V6BA, PK5V8EN, PK5X8BA, PK601CA, PK609CA, PK626HY, PK676BA, PK6A8BA, 12N60, PK6M6DX, PK844DS, PK884DS, PK892DS, PK8A6EA, PK8B0BA, PK8C2BA, PK8D8BA