PK6M6DX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PK6M6DX
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 231 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PK6M6DX
PK6M6DX Datasheet (PDF)
pk6m6dx.pdf

Dual N-Channel Enhancement Mode PK6M6DX NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D1 D1 D2 D2V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 8.5m 45A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source
Другие MOSFET... PK5V8EN , PK5X8BA , PK601CA , PK609CA , PK626HY , PK676BA , PK6A8BA , PK6B0SA , 4435 , PK844DS , PK884DS , PK892DS , PK8A6EA , PK8B0BA , PK8C2BA , PK8D8BA , PKC46DY .
History: PM5C3BA | 1N65G-TM3-T | IXFH20N50P3 | OSG65R099FF | LSB60R030HT | LNH4N60 | CSD16323Q3
History: PM5C3BA | 1N65G-TM3-T | IXFH20N50P3 | OSG65R099FF | LSB60R030HT | LNH4N60 | CSD16323Q3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor