PK884DS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PK884DS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 259 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6S

Аналог (замена) для PK884DS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK884DS даташит

 ..1. Size:587K  niko-sem
 pk884ds.pdf pdf_icon

PK884DS

Dual N-Channel Enhancement Mode PK884DS NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 2m 85A 5m Q1 30V 53A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losse

Другие IGBT... PK601CA, PK609CA, PK626HY, PK676BA, PK6A8BA, PK6B0SA, PK6M6DX, PK844DS, IRFB3607, PK892DS, PK8A6EA, PK8B0BA, PK8C2BA, PK8D8BA, PKC46DY, PKCD0BB, PKCE9BB