Справочник MOSFET. PK884DS

 

PK884DS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PK884DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 259 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6S
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK884DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  niko-sem
 pk884ds.pdf pdf_icon

PK884DS

Dual N-Channel Enhancement Mode PK884DS NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 2m 85A 5m Q1 30V 53A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losse

Другие MOSFET... PK601CA , PK609CA , PK626HY , PK676BA , PK6A8BA , PK6B0SA , PK6M6DX , PK844DS , AON7506 , PK892DS , PK8A6EA , PK8B0BA , PK8C2BA , PK8D8BA , PKC46DY , PKCD0BB , PKCE9BB .

 

 
Back to Top

 


 
.