PK884DS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PK884DS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 57 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 259 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6S
Аналог (замена) для PK884DS
PK884DS Datasheet (PDF)
pk884ds.pdf

Dual N-Channel Enhancement Mode PK884DS NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6S Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 30V 2m 85A 5m Q1 30V 53A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losse
Другие MOSFET... PK601CA , PK609CA , PK626HY , PK676BA , PK6A8BA , PK6B0SA , PK6M6DX , PK844DS , IRF1407 , PK892DS , PK8A6EA , PK8B0BA , PK8C2BA , PK8D8BA , PKC46DY , PKCD0BB , PKCE9BB .
History: IXFH80N10 | GSM6236S | 2N6764JAN | FSS13AOD | FSL9110D | FK20VS-5
History: IXFH80N10 | GSM6236S | 2N6764JAN | FSS13AOD | FSL9110D | FK20VS-5



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet