PM5D8EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PM5D8EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PM5D8EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM5D8EA даташит

 ..1. Size:262K  niko-sem
 pm5d8ea.pdf pdf_icon

PM5D8EA

N-Channel Enhancement Mode PM5D8EA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOT-23(S) Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 1A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD Protection

Другие IGBT... PKE94BB, PKE96BB, PKEA6EB, PM515BA, PM555BZ, PM567EA, PM569BA, PM5C3BA, STF13NM60N, PM5H7EA, PM5Q2EA, PM5Q4BA, PM5T4EA, PM5W6EA, PP1410AD, PP1410AEA, PP1410AF