PM5H7EA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PM5H7EA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для PM5H7EA
PM5H7EA Datasheet (PDF)
pm5h7ea.pdf

PM5H7EA P-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 65m -3.4A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Products Inte
Другие MOSFET... PKE96BB , PKEA6EB , PM515BA , PM555BZ , PM567EA , PM569BA , PM5C3BA , PM5D8EA , 8N60 , PM5Q2EA , PM5Q4BA , PM5T4EA , PM5W6EA , PP1410AD , PP1410AEA , PP1410AF , PP1410AK .
History: 14N50G-TA3-T | PP1410AK | 13N50L-T2Q-T
History: 14N50G-TA3-T | PP1410AK | 13N50L-T2Q-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722