PM5Q2EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PM5Q2EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PM5Q2EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM5Q2EA даташит

 ..1. Size:273K  niko-sem
 pm5q2ea.pdf pdf_icon

PM5Q2EA

PM5Q2EA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 45m 3.8A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие IGBT... PKEA6EB, PM515BA, PM555BZ, PM567EA, PM569BA, PM5C3BA, PM5D8EA, PM5H7EA, 2N60, PM5Q4BA, PM5T4EA, PM5W6EA, PP1410AD, PP1410AEA, PP1410AF, PP1410AK, PP1515AD