PP2G10AS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PP2G10AS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для PP2G10AS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PP2G10AS даташит

 ..1. Size:315K  niko-sem
 pp2g10as.pdf pdf_icon

PP2G10AS

N-Channel Enhancement Mode PP2G10AS NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-263 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 100V 2.7m 180A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

 7.1. Size:317K  niko-sem
 pp2g10at.pdf pdf_icon

PP2G10AS

N-Channel Enhancement Mode PP2G10AT NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 100V 2.98m 183A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

Другие IGBT... PP1410AF, PP1410AK, PP1515AD, PP1515AF, PP1515AK, PP1C06AKB, PP2915AD, PP2915AK, IRFB7545, PP2G10AT, PP2H06AK, PP2H06AT, PP2H06BK, PP4515BD, PP4515BK, PP4515BL, PP4B10AD