PP4B10AD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PP4B10AD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 123 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 771 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для PP4B10AD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PP4B10AD даташит

 ..1. Size:203K  niko-sem
 pp4b10ad.pdf pdf_icon

PP4B10AD

N-Channel Logic Level Enhancement PP4B10AD NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 4.5m 100V 123A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 123 Continuous

 7.1. Size:366K  niko-sem
 pp4b10ak.pdf pdf_icon

PP4B10AD

N-Channel Enhancement Mode PP4B10AK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D D D D D 100V 4.2m 127A MSL (Moisture Sensitivity Level) 1. G G. GATE D. DRAIN S S. SOURCE #1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-So

 7.2. Size:210K  niko-sem
 pp4b10af.pdf pdf_icon

PP4B10AD

N-Channel Enhancement Mode PP4B10AF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 100V 4.4m 79A G 1. GATE 2. DRAIN S 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 7.3. Size:235K  niko-sem
 pp4b10as.pdf pdf_icon

PP4B10AD

N-Channel Enhancement Mode PP4B10AS NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-263 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 100V 4.4m 139A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PP2G10AS, PP2G10AT, PP2H06AK, PP2H06AT, PP2H06BK, PP4515BD, PP4515BK, PP4515BL, 60N06, PP4B10AF, PP4B10AK, PP4B10AS, PP4B10AT, PP4B10BD, PP4B10BF, PP4B10BK, PP4B10BS