Справочник MOSFET. PP4B10AD

 

PP4B10AD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PP4B10AD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 123 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 771 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для PP4B10AD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PP4B10AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  niko-sem
pp4b10ad.pdfpdf_icon

PP4B10AD

N-Channel Logic Level Enhancement PP4B10AD NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 4.5m 100V 123A G 2.DRAIN 3.SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 123 Continuous

 7.1. Size:366K  niko-sem
pp4b10ak.pdfpdf_icon

PP4B10AD

N-Channel Enhancement Mode PP4B10AK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID DD D D D100V 4.2m 127A MSL (Moisture Sensitivity Level) 1. GG. GATE D. DRAIN S S. SOURCE #1 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-So

 7.2. Size:210K  niko-sem
pp4b10af.pdfpdf_icon

PP4B10AD

N-Channel Enhancement Mode PP4B10AF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D100V 4.4m 79A G1. GATE 2. DRAIN S 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 7.3. Size:235K  niko-sem
pp4b10as.pdfpdf_icon

PP4B10AD

N-Channel Enhancement Mode PP4B10AS NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-263 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 4.4m 139A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

Другие MOSFET... PP2G10AS , PP2G10AT , PP2H06AK , PP2H06AT , PP2H06BK , PP4515BD , PP4515BK , PP4515BL , AO4468 , PP4B10AF , PP4B10AK , PP4B10AS , PP4B10AT , PP4B10BD , PP4B10BF , PP4B10BK , PP4B10BS .

History: IPD50N04S4-08 | WFP10N60 | IRHMJ57260SE | RSR025N03FRA | PZ5S6JZ | SM2054NSV | SIR408DP

 

 
Back to Top

 


 
.