Справочник MOSFET. PP4B10AS

 

PP4B10AS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PP4B10AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 139 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 762 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для PP4B10AS

 

 

PP4B10AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  niko-sem
 pp4b10as.pdf

PP4B10AS PP4B10AS

N-Channel Enhancement Mode PP4B10AS NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-263 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 4.4m 139A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

 7.1. Size:366K  niko-sem
 pp4b10ak.pdf

PP4B10AS PP4B10AS

N-Channel Enhancement Mode PP4B10AK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID DD D D D100V 4.2m 127A MSL (Moisture Sensitivity Level) 1. GG. GATE D. DRAIN S S. SOURCE #1 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-So

 7.2. Size:210K  niko-sem
 pp4b10af.pdf

PP4B10AS PP4B10AS

N-Channel Enhancement Mode PP4B10AF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D100V 4.4m 79A G1. GATE 2. DRAIN S 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 7.3. Size:237K  niko-sem
 pp4b10at.pdf

PP4B10AS PP4B10AS

N-Channel Enhancement Mode PP4B10AT NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 4.5m 137A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

 7.4. Size:203K  niko-sem
 pp4b10ad.pdf

PP4B10AS PP4B10AS

N-Channel Logic Level Enhancement PP4B10AD NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 4.5m 100V 123A G 2.DRAIN 3.SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 123 Continuous

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MMFTN3406

 

 
Back to Top