PP9C15AD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PP9C15AD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 308 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для PP9C15AD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PP9C15AD даташит

 ..1. Size:315K  niko-sem
 pp9c15ad.pdf pdf_icon

PP9C15AD

N-Channel Enhancement Mode PP9C15AD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 150V 9.3m 70A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 7.1. Size:324K  niko-sem
 pp9c15af.pdf pdf_icon

PP9C15AD

N-Channel Enhancement Mode PP9C15AF NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220F Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 150V 9.3m 50A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 7.2. Size:316K  niko-sem
 pp9c15at.pdf pdf_icon

PP9C15AD

N-Channel Enhancement Mode PP9C15AT NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 1. GATE 150V 9.3m 89A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

 7.3. Size:369K  niko-sem
 pp9c15ak.pdf pdf_icon

PP9C15AD

N-Channel Enhancement Mode PP9C15AK NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 150V 9.3m 83A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PP4B10AF, PP4B10AK, PP4B10AS, PP4B10AT, PP4B10BD, PP4B10BF, PP4B10BK, PP4B10BS, IRF540N, PP9C15AF, PP9C15AK, PP9C15AT, PP9H06BD, PP9H06BEA, PP9H06BI, PP9H06BK, PP9H06BV