PT676BA - аналоги и даташиты транзистора

 

PT676BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PT676BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 166 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 702 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для PT676BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PT676BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  niko-sem
 pt676ba.pdf pdf_icon

PT676BA

N-Channel Enhancement Mode PT676BA NIKO-SEM TO-220 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G40V 2.7m 166A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

Другие MOSFET... PQ5G4JN , PQ5U2JN , PQ6S2JN , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , IRF9540 , PT6J6BA , PV521BA , PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA , PV616DA .

History: IPP110N20N3 | BSC025N03MSG | AMD532C | WMS14DN03T1 | BSC025N03LSG | SL11N65CK | 2SK3688-01L

 

 
Back to Top

 


 
.