Справочник MOSFET. PV555BA

 

PV555BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PV555BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для PV555BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV555BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  niko-sem
 pv555ba.pdf pdf_icon

PV555BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV555BANIKO-SEM SOP-8Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 28m -6A -30V GG : GATE D : DRAIN S : SOURCESABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS -30 VGate-Source Voltage VGS 20

Другие MOSFET... PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA , PV521BA , STP75NF75 , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA , PV616DA , PV6A4BA , PV6A6BA , PV6A8BA .

History: CS48N78 | VS3620DE-G | SRH03P142LD33TR-G | NCE30ND07AS | PFF12N65 | VB8338 | SI3460DV-T1

 

 
Back to Top

 


 
.