PV555BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PV555BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для PV555BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV555BA даташит

 ..1. Size:263K  niko-sem
 pv555ba.pdf pdf_icon

PV555BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV555BA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 28m -6A -30V G G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20

Другие IGBT... PQ6V2JN, PQ6X6JN, PR802BA33, PR812BA33, PT5B9BA, PT676BA, PT6J6BA, PV521BA, 7N65, PV561BA, PV563BA, PV5G3EA, PV609CA, PV616DA, PV6A4BA, PV6A6BA, PV6A8BA