PV561BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PV561BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для PV561BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV561BA даташит

 ..1. Size:415K  niko-sem
 pv561ba.pdf pdf_icon

PV561BA

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PV561BA NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 45m -6A G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G

Другие IGBT... PQ6X6JN, PR802BA33, PR812BA33, PT5B9BA, PT676BA, PT6J6BA, PV521BA, PV555BA, IRFP250N, PV563BA, PV5G3EA, PV609CA, PV616DA, PV6A4BA, PV6A6BA, PV6A8BA, PV6D2DA