PV616DA - аналоги и даташиты транзистора

 

PV616DA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PV616DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 166 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для PV616DA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV616DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:266K  niko-sem
 pv616da.pdf pdf_icon

PV616DA

PV616DA Dual N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 8.5m 12A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G : GATE D : DRA

Другие MOSFET... PT676BA , PT6J6BA , PV521BA , PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA , IRFP260 , PV6A4BA , PV6A6BA , PV6A8BA , PV6D2DA , PW567EA , PW5D8EA , PW5S6EA , PX567EA .

History: IPW60R165CP | TK10A60W | AOE6930 | AONS66607 | IPW60R190E6 | NP80N03CDE | IXFN48N60P

 

 
Back to Top

 


 
.