Справочник MOSFET. PV6A6BA

 

PV6A6BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PV6A6BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для PV6A6BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV6A6BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  niko-sem
 pv6a6ba.pdf pdf_icon

PV6A6BA

PV6A6BAN-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G40V 9m 10.9A G: GATE D: DRAIN S: SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 40 VGate-Source Voltage VGS 20 VTA = 25 C

Другие MOSFET... PV521BA , PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA , PV616DA , PV6A4BA , K4145 , PV6A8BA , PV6D2DA , PW567EA , PW5D8EA , PW5S6EA , PX567EA , PX567JZ , PX5D8EA .

History: GSM3814W | SWD7N65K | IRF7507

 

 
Back to Top

 


 
.