Справочник MOSFET. PV6D2DA

 

PV6D2DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PV6D2DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для PV6D2DA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV6D2DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  niko-sem
 pv6d2da.pdf pdf_icon

PV6D2DA

PV6D2DA Dual N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 25m 6.4A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G : GATE D : DRA

Другие MOSFET... PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA , PV616DA , PV6A4BA , PV6A6BA , PV6A8BA , IRF4905 , PW567EA , PW5D8EA , PW5S6EA , PX567EA , PX567JZ , PX5D8EA , PX5D8JZ-T , PX5S6EA .

History: APT10045B2LLG | OSG55R074FZF

 

 
Back to Top

 


 
.