PV6D2DA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PV6D2DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для PV6D2DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PV6D2DA даташит

 ..1. Size:263K  niko-sem
 pv6d2da.pdf pdf_icon

PV6D2DA

PV6D2DA Dual N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 40V 25m 6.4A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G GATE D DRA

Другие IGBT... PV561BA, PV563BA, PV5G3EA, PV609CA, PV616DA, PV6A4BA, PV6A6BA, PV6A8BA, IRF4905, PW567EA, PW5D8EA, PW5S6EA, PX567EA, PX567JZ, PX5D8EA, PX5D8JZ-T, PX5S6EA