PX5D8EA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PX5D8EA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT-523

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PX5D8EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PX5D8EA даташит

 ..1. Size:366K  niko-sem
 px5d8ea.pdf pdf_icon

PX5D8EA

N-Channel Logic Level Enhancement PX5D8EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-523 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.8A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD

 9.1. Size:420K  niko-sem
 px5d8jz-t.pdf pdf_icon

PX5D8EA

Dual N-Channel Logic Level PX5D8JZ-T NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-563 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY 1 2 V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.78A 1 2 1 2 Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize

Другие IGBT... PV6A6BA, PV6A8BA, PV6D2DA, PW567EA, PW5D8EA, PW5S6EA, PX567EA, PX567JZ, IRFP260, PX5D8JZ-T, PX5S6EA, PX5S6JZ, PX607UZ, PZ5203EMAA, PZ567JZ, PZ5D8EA, PZ5D8JZ