PX5D8JZ-T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PX5D8JZ-T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.78 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.1 nC
trⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: SOT-563
PX5D8JZ-T Datasheet (PDF)
px5d8jz-t.pdf
Dual N-Channel Logic Level PX5D8JZ-T NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-563 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY 1 2 V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.78A 1 2 1 2 Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize
px5d8ea.pdf
N-Channel Logic Level Enhancement PX5D8EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-523 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.8A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
