PX5D8JZ-T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PX5D8JZ-T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.78 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT-563

Аналог (замена) для PX5D8JZ-T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PX5D8JZ-T даташит

 ..1. Size:420K  niko-sem
 px5d8jz-t.pdf pdf_icon

PX5D8JZ-T

Dual N-Channel Logic Level PX5D8JZ-T NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-563 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY 1 2 V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.78A 1 2 1 2 Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize

 9.1. Size:366K  niko-sem
 px5d8ea.pdf pdf_icon

PX5D8JZ-T

N-Channel Logic Level Enhancement PX5D8EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-523 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.8A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD

Другие IGBT... PV6A8BA, PV6D2DA, PW567EA, PW5D8EA, PW5S6EA, PX567EA, PX567JZ, PX5D8EA, SKD502T, PX5S6EA, PX5S6JZ, PX607UZ, PZ5203EMAA, PZ567JZ, PZ5D8EA, PZ5D8JZ, PZ5G7EA