Справочник MOSFET. PX5D8JZ-T

 

PX5D8JZ-T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PX5D8JZ-T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.78 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT-563
 

 Аналог (замена) для PX5D8JZ-T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PX5D8JZ-T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  niko-sem
 px5d8jz-t.pdf pdf_icon

PX5D8JZ-T

Dual N-Channel Logic Level PX5D8JZ-T NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-563 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY 1 2 V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.78A 1 2 1 2 Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize

 9.1. Size:366K  niko-sem
 px5d8ea.pdf pdf_icon

PX5D8JZ-T

N-Channel Logic Level Enhancement PX5D8EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-523 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 20V 300m 0.8A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD

Другие MOSFET... PV6A8BA , PV6D2DA , PW567EA , PW5D8EA , PW5S6EA , PX567EA , PX567JZ , PX5D8EA , IRF9540N , PX5S6EA , PX5S6JZ , PX607UZ , PZ5203EMAA , PZ567JZ , PZ5D8EA , PZ5D8JZ , PZ5G7EA .

History: 2N7100 | 2SK2648-01 | HUFA75307D3S | IXFN25N90 | IPI80P04P4L-04

 

 
Back to Top

 


 
.