Справочник MOSFET. PX5S6JZ

 

PX5S6JZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PX5S6JZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: SOT-563
 

 Аналог (замена) для PX5S6JZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PX5S6JZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  niko-sem
 px5s6jz.pdf pdf_icon

PX5S6JZ

Dual N-Channel Logic Level PX5S6JZ NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-563 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY 1 2 V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 480m 0.57A 1 2 1 2 Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize S

 9.1. Size:305K  niko-sem
 px5s6ea.pdf pdf_icon

PX5S6JZ

N-Channel Logic Level Enhancement PX5S6EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-523 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 450m 0.68A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD

Другие MOSFET... PW567EA , PW5D8EA , PW5S6EA , PX567EA , PX567JZ , PX5D8EA , PX5D8JZ-T , PX5S6EA , TK10A60D , PX607UZ , PZ5203EMAA , PZ567JZ , PZ5D8EA , PZ5D8JZ , PZ5G7EA , PZ5S6EA , PZ5S6JZ .

History: SI4435BDY | WMQ090N04LG2 | NTGS4111PT

 

 
Back to Top

 


 
.