Справочник MOSFET. PX5S6JZ

 

PX5S6JZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PX5S6JZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.57 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: SOT-563

 Аналог (замена) для PX5S6JZ

 

 

PX5S6JZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  niko-sem
 px5s6jz.pdf

PX5S6JZ PX5S6JZ

Dual N-Channel Logic Level PX5S6JZ NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-563 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY 1 2 V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 480m 0.57A 1 2 1 2 Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize S

 9.1. Size:305K  niko-sem
 px5s6ea.pdf

PX5S6JZ PX5S6JZ

N-Channel Logic Level Enhancement PX5S6EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-523 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 450m 0.68A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top