PX5S6JZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PX5S6JZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: SOT-563

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PX5S6JZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PX5S6JZ даташит

 ..1. Size:224K  niko-sem
 px5s6jz.pdf pdf_icon

PX5S6JZ

Dual N-Channel Logic Level PX5S6JZ NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-563 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY 1 2 V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 480m 0.57A 1 2 1 2 Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize S

 9.1. Size:305K  niko-sem
 px5s6ea.pdf pdf_icon

PX5S6JZ

N-Channel Logic Level Enhancement PX5S6EA NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor SOT-523 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 450m 0.68A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD

Другие IGBT... PW567EA, PW5D8EA, PW5S6EA, PX567EA, PX567JZ, PX5D8EA, PX5D8JZ-T, PX5S6EA, 13N50, PX607UZ, PZ5203EMAA, PZ567JZ, PZ5D8EA, PZ5D8JZ, PZ5G7EA, PZ5S6EA, PZ5S6JZ