PZ607UZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PZ607UZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.53 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT-363

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PZ607UZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZ607UZ даташит

 ..1. Size:482K  niko-sem
 pz607uz.pdf pdf_icon

PZ607UZ

PZ607UZ N- & P-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-363 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID N-Channel 20V 300m 0.78A P-Channel -20V 520m -0.53A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Mi

Другие IGBT... PX607UZ, PZ5203EMAA, PZ567JZ, PZ5D8EA, PZ5D8JZ, PZ5G7EA, PZ5S6EA, PZ5S6JZ, CS150N03A8, PZC010BL, PZC010HK, PZF010HK, SJMN030R60SCW, SJMN041R65SW, SJMN041RH65SW, SJMN065R65W, SJMN070R60SW