PZC010HK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PZC010HK  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.295 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PZC010HK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PZC010HK даташит

 ..1. Size:303K  niko-sem
 pzc010hk.pdf pdf_icon

PZC010HK

Dual N-Channel Enhancement Mode PZC010HK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D1 D1 D2 D2 V(BR)DSS RDS(ON) ID Drain Drain 100V 295m 4.7A Gate Gate G. GATE D. DRAIN S. SOURCE Source Source #1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drai

 8.1. Size:263K  niko-sem
 pzc010bl.pdf pdf_icon

PZC010HK

PZC010BL N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM SOT-223 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 295m 2.2A 1. GATE ESD Protected Gate 2. DRAIN 3. SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 16 V TA = 25 C 2.2 Continu

Другие IGBT... PZ567JZ, PZ5D8EA, PZ5D8JZ, PZ5G7EA, PZ5S6EA, PZ5S6JZ, PZ607UZ, PZC010BL, AON7410, PZF010HK, SJMN030R60SCW, SJMN041R65SW, SJMN041RH65SW, SJMN065R65W, SJMN070R60SW, SJMN074R65SW, SJMN074RH65SW