SJMN099R60ZSW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN099R60ZSW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для SJMN099R60ZSW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN099R60ZSW даташит

 ..1. Size:664K  auk
sjmn099r60zsw.pdfpdf_icon

SJMN099R60ZSW

SJMN099R60ZSW N-Channel Super-junction MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features 600V Super-junction MOSFET Ultra fast body diode and Built-in ESD diode Low drain-source On-resistance R =0.099 (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device and Halogen-free device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247-3L S

 5.1. Size:676K  auk
sjmn099r65sw.pdfpdf_icon

SJMN099R60ZSW

SJMN099R65SW N-Channel Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features 650V Super-junction MOSFET Ultra fast body diode trr=202ns(typ.) Low drain-source On-resistance R =0.099 (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN099R65SW N099R65S TO-247 Mark

 6.1. Size:669K  auk
sjmn099rh65sw.pdfpdf_icon

SJMN099R60ZSW

SJMN099RH65SW N-Channel Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features 650V Super-junction MOSFET Ultra fast body diode trr=202ns(typ.) Low drain-source On-resistance R =0.099 (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247-3L SJMN099RH65SW N099RH65S TO-247

 9.1. Size:701K  auk
sjmn041r65sw.pdfpdf_icon

SJMN099R60ZSW

SJMN041R65SW N-Channel Super-junction MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATION Features 650V Super-junction MOSFET Ultra fast body diode trr=185ns(typ.) Low drain-source On-resistance R =0.041 (Max.) DS(on) 100% avalanche tested RoHS compliant device Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN041R65SW N041R65S TO-247 Mark

Другие IGBT... SJMN041RH65SW, SJMN065R65W, SJMN070R60SW, SJMN074R65SW, SJMN074RH65SW, SJMN088R65F, SJMN088R65FD, SJMN088R65W, SI2302, SJMN099R65SW, SJMN099RH65SW, SJMN165R65ZF, SJMN180R65CB, SJMN180R65CF, SJMN190R60F, SJMN190R65B, SJMN190R65F