SJMN165R65ZF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN165R65ZF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для SJMN165R65ZF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN165R65ZF даташит

 ..1. Size:633K  auk
sjmn165r65zf.pdfpdf_icon

SJMN165R65ZF

SJMN165R65ZF Super Junction MOSFET 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN165R65ZF N165R65Z TO-220F-3L Marking Information Column 1

 9.1. Size:604K  auk
sjmn180r65cb.pdfpdf_icon

SJMN165R65ZF

SJMN180R65CB Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.18 (Max.) D DS(on) Ultra low gate charge Qg=32nC(Typ.) RoHS compliant and Halogen free device 100% avalanche tested G S Ordering Information TO-263 (D2-PAK) Part Number Marking Package

 9.2. Size:679K  auk
sjmn1k2r80zd.pdfpdf_icon

SJMN165R65ZF

SJMN1K2R80ZD Super Junction MOSFET 800V N-Channel Super Junction MOSFET Features Very Low FOM (R X Q ) DS(on) g D Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% avalanche tested Built-in ESD Diode G S Ordering Information TO-252 Part Number Marking Package SJMN1K2R80ZD SJMN1K2R80Z TO-252 Marking Information Column 1, 2

 9.3. Size:764K  auk
sjmn190r65w.pdfpdf_icon

SJMN165R65ZF

SJMN190R65W Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.19 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN190R65W N190R65 TO-247

Другие IGBT... SJMN074R65SW, SJMN074RH65SW, SJMN088R65F, SJMN088R65FD, SJMN088R65W, SJMN099R60ZSW, SJMN099R65SW, SJMN099RH65SW, 20N50, SJMN180R65CB, SJMN180R65CF, SJMN190R60F, SJMN190R65B, SJMN190R65F, SJMN190R65W, SJMN1K2R80ZD, SJMN1K4R90ZD