SJMN190R60F - аналоги и даташиты транзистора

 

SJMN190R60F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SJMN190R60F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для SJMN190R60F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN190R60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:818K  auk
 sjmn190r60f.pdf pdf_icon

SJMN190R60F

SJMN190R60F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =650V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.19 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=36nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN190R60F N190R60 TO

 5.1. Size:764K  auk
 sjmn190r65w.pdf pdf_icon

SJMN190R60F

SJMN190R65W Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.19 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN190R65W N190R65 TO-247

 5.2. Size:637K  auk
 sjmn190r65f.pdf pdf_icon

SJMN190R60F

SJMN190R65FSuper Junction MOSFETN-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.19 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN190R65F N190R65 TO-2

 5.3. Size:579K  auk
 sjmn190r65b.pdf pdf_icon

SJMN190R60F

SJMN190R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =700V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.19 (Max.) DS(on)D Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G S Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN190R65B N

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SJMN088R65FD , SJMN088R65W , SJMN099R60ZSW , SJMN099R65SW , SJMN099RH65SW , SJMN165R65ZF , SJMN180R65CB , SJMN180R65CF , STF13NM60N , SJMN190R65B , SJMN190R65F , SJMN190R65W , SJMN1K2R80ZD , SJMN1K4R90ZD , SJMN1K6R70D , SJMN230R70ZF , SJMN250R80ZB .

History: IXTP1N80P | IXTP36P15P

 

 
Back to Top

 


 
.