SJMN190R65B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SJMN190R65B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 846 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для SJMN190R65B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN190R65B даташит

 ..1. Size:579K  auk
 sjmn190r65b.pdf pdf_icon

SJMN190R65B

SJMN190R65B Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.19 (Max.) DS(on) D Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G S Part Number Marking Package TO-263 (D2-PAK) SJMN190R65B N

 4.1. Size:764K  auk
 sjmn190r65w.pdf pdf_icon

SJMN190R65B

SJMN190R65W Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.19 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-247 SJMN190R65W N190R65 TO-247

 4.2. Size:637K  auk
 sjmn190r65f.pdf pdf_icon

SJMN190R65B

SJMN190R65F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =700V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.19 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN190R65F N190R65 TO-2

 5.1. Size:818K  auk
 sjmn190r60f.pdf pdf_icon

SJMN190R65B

SJMN190R60F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage V =650V (@T =150 C) DS J Low drain-source On resistance R =0.19 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge Qg=36nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN190R60F N190R60 TO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SJMN088R65W, SJMN099R60ZSW, SJMN099R65SW, SJMN099RH65SW, SJMN165R65ZF, SJMN180R65CB, SJMN180R65CF, SJMN190R60F, IRFZ24N, SJMN190R65F, SJMN190R65W, SJMN1K2R80ZD, SJMN1K4R90ZD, SJMN1K6R70D, SJMN230R70ZF, SJMN250R80ZB, SJMN250R80ZF